순환식각공정을 이용한 실리콘의 식각속도 지연현상 조절

Abstract

본 연구에서는 식각형상의 종횡비에 따른 식각속도 지연현상에 대한 메커니즘을 규명하였으며, 식각속도 지연현상을 조절할 수 있는 식각방법을 제시하였다. 실험 결과에 의하면, 식각속도 지연현상은 식각과정에서 식각형상의 식각폭이 감소함에 따라 바닥면으로 유입되는 식각물질의 플럭스가 감소하기 때문에 발생되었다. 또한 증착공정에서 증착시킨 보호막 두께가 증가할수록 식각속도 지연현상은 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 특성을 이용하여 순환식각공정에 Ar 플라즈마로 바닥면에 증착된 보호막의 두께를 조절하는 공정을 첨가함으로써 보호막의 두께에 따라 식각속도 지연현상이 나타나는 정도를 관찰하였다. 실험 결과에 의하면, 바닥면의 보호막의 두께 조절을 통해서 식각속도 지연현상을 조절할 수 있었다.