O2 Plasma을 이용한 ALD SEAM 제어 식각 방법

Alternative Title
ALD SEAM Using O2 Plasma Control Etching Method
Author(s)
최호진
Advisor
오일권
Department
IT융합대학원 IT융합공학과
Publisher
The Graduate School, Ajou University
Publication Year
2023-02
Language
kor
Keyword
ALD SEAMO2 Plasma
Abstract
본 논문에서는 반도체 소자 중 Vertical NADN flash memory 제조 공정 중 Channel- hole의 일부분인 Etch back공정에서의 etching을 효율 개선을 하기 위해서 실험으로 연구를 진행하였다. <br>Channel hole내부를 채우는 Oxide는 ALD(atomic layer deposition: ALD)증착 방법으로 만든다. Channel hole내부에 oxide막질 성장 시 사용하는 gas로 트리스-디멜틸아미-노 실란(TDMAS)사용하는데, 증착 후 wafer표면은 소수성 특정을 가지게 된다. 이런 소수성 특성으로 etching시 wafer표면 etching gas흡착하는데 방해하는 요소로 작용한다. 본 연구에서 O2 Plasma를 이용하여 wafer표면을 소수성에서 친수성으로 변화하여 etching gas의 흡착을 증대 시켜 etch rate효율이 개선되는 것으로 예상하였으며, 개선 효과는 HDP(high-density plasma chemical vapor deposition: HDP)oxide와 ALD(atomic layer deposition: ALD)oxide를 이용하여 스펙트로 포토미터(spectro-photometer)로 측정하였으며. 그리고 실제 소자 제품으로 SEM(scanning electron microscope: SEM)로 연구 결과를 확인하였다. 본 연구를 통해 다른 gas를 사용하는 etching에서 널리 작용될 수 있을 것으로 기대된다.
URI
https://dspace.ajou.ac.kr/handle/2018.oak/24691
Fulltext

Appears in Collections:
Special Graduate Schools > Graduate School of IT Convergence > Department of IT Convergence Engineering > 3. Theses(Master)
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