집속 이온빔 및 투과전자 현미경을 이용한 (Al)GaAs/Ge/(Al)GaAs 계면 분석

Abstract

최근 수 나노 반도체 공정의 현실화와 이러한 기술 발전 동향과 점점 더 집적화되어가는 경향 속에서 기존의 Si 기술을 대체하는 Ge / Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체에 대한 기술 개발 노력으로 물리적 미세화 한계를 극복하고 낮은 동작전압에서도 저 전력, 고성능의 특성을 확보하기 위한 연구들이 활발히 진행되고 있다. 본 연구는 이렇게 많은 연구가 활발히 이뤄지고 있는 Ge/Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체로서 연구에 사용된 (Al)GaAs/Ge/(Al)GaAs 계면에 대하여 구조적 결함의 원인과 구조를 분석하기 위한 시편제작 단계인 집속 이온빔(FIB, Focused Ion Beam)으로 시편 제작시 발생되는 Artifact를 최소화시켜 시편제작 기술을 개발하고 고해상도의 투과전자 현미경(TEM, Transmission Electron Microscopy) 영상을 확보하고자 했다. 또한 가속전압과 빔전류, Plat zone과의 angle을 변수로 두고 분석한 결과, 집속 이온빔으로 시편을 제작할 때 가장 최상의 투과전자 현미경 영상을 확보할 수 있는 조건들이 확인되었다.