플래시 메모리를 위한 효율적인 B+ 트리 저장 알고리즘

Abstract

플래시 메모리는 임베디드 시스템에서 필요한 특성을 고루 가진 저장장치로써, 최근 가장 주목을 받고 있다. 따라서 기존의 장치에서 개발된 저장 기법들을 플래시 메모리 상에서 적용하려는 시도가 많이 이루어지고 있다. 특히 현재 B+트리는 하드디스크 기반의 DBMS (Database Management System)에서 가장 많이 쓰이는 인덱싱 기법 중의 하나이며, 플래시 메모리로 적용될 수 있다. 하지만, B+트리는 빈번한 입력과 삭제가 발생하는데, 덮어쓰기(overwrite)가 가능한 하드디스크와 달리 그렇지 않은 플래시 메모리에서는 성능저하가 발생하게 된다. 이러한 성능저하를 최소화 할 수 있는 FTL (Flash Translation Layer) 계층에서 관리가 필요하다. 본 논문에서는 FTL 계층 상위 단계에서 B+트리의 노드 삽입과 삭제에서 발생하는 플래시 메모리 쓰기 지우기 연산을 최소하고, 노드와 페이지의 관계를 1 : 2로 하는 생성원리를 이용한 저장시점을 기술하도록 한다. 따라서 쓰기 지우기 연산을 효율적으로 관리함으로써, 하드디스크와 동일한 성능을 나타내는 플래시 기반의 B+트리 저장 방법을 제안한다.