비아 전이 구조로 인한 차폐 효율의 변화 원인 분석

Abstract

모바일 기기 내 부품간의 간섭(RFI)를 방지하기 위해 주요 칩은 대개 쉴드캔으로 차폐한다. 쉴드캔을 통해 IC에서 복사성 방출로 인한 잡음을 차폐할 수 있지만, 쉴드캔과 연결된 그라운드 비아와 쉴드캔 내부에서 밖으로 빠져나오기 위해 신호라인과 연결된 비아로 인해 신호가 전력접지망으로 누설되는 것은 막을 수 없다. 기존 연구에서는 신호 비아로 인한 차폐효율의 변화에 대해서 문제를 제기하였다. 본 논문에서는 이를 분석하기위해 일반적인 IC 상황에서의 잡음원 차폐효율의 변화를 분석하였고, 전력접지망에 직접 잡음원을 주었을 때 비아 구조와의 잡음 결합 현상을 관찰하 분석하였다. 이를 비아 구조에서 바라본 전력 접지망의 임피던스를 등가적으로 모델링한 결과와 비교하여 그 원인이 해당 임피던스의 공진이며, 이로인해 비아와 전력 접지망의 누설이 줄어들기 때문이라는 것을 분석하였다.