PN접합 다이오드에서 수평형의 곡률반경이 항복전압에 미치는 영향
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 최연익 | - |
dc.contributor.author | 서현석 | - |
dc.date.accessioned | 2018-11-08T07:51:41Z | - |
dc.date.available | 2018-11-08T07:51:41Z | - |
dc.date.issued | 2007-02 | - |
dc.identifier.other | 2235 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.ajou.ac.kr/handle/2018.oak/8197 | - |
dc.description | 학위논문(석사)--아주대학교 일반대학원 :전자공학과,2007.2 | - |
dc.description.abstract | 원통형 접합에 대한 수치해석적인 항복전압과 Baliga의 해석적인 식이 잘 일치하지 않는 영역에서 새로운 항복전압 식을 구했다. PN접합 다이오드에서 확산창 구석의 수평형의 곡률반경을 고려하여 항복전압과 농도 사이의 관계식을 유도하였다. γ>0.3 영역에서 항복전압을 다항식, Vpoly=0.0246k^2+0.1482k+0.736 (k=lnγ)으로 나타내었다. Baliga식이 잘 맞지 않는 영역에서 다항식은 수치적인 항복전압과 잘 일치하였다. 수평형의 곡률반경을 고려한 항복전압과 농도사이의 관계식을 이용하여 소자 설계 시 항복전압이 300V와 500V일 때, 최적의 에피층의 농도는 각각 10^14cm^-3, 10^13cm^-3, 이고, Rm은 265㎛와 362㎛이다. 이때 소자의 최소 저항은 각각 67Ω, 5.7kΩ이다. 그리고 Rm에 대하여 항복전압이 거의 변하지 않는 영역에서의 Rm과 에피층의 농도를 이용하여 소자 설계를 하면 이 소자들의 에피층 저항은 최소값과 거의 차이가 나지 않는다. | - |
dc.description.tableofcontents | 제 1 장 서론 = 1 제 2 장 원통형 PN접합에서 항복전압에 대한 해석적인 모델 = 6 제 3 장 수평형의 곡률반경이 항복전압에 미치는 영향 = 11 결론 = 22 참고 문헌 = 23 | - |
dc.language.iso | kor | - |
dc.publisher | The Graduate School, Ajou University | - |
dc.rights | 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다. | - |
dc.title | PN접합 다이오드에서 수평형의 곡률반경이 항복전압에 미치는 영향 | - |
dc.title.alternative | Seo, Hyun-Seok | - |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.affiliation | 아주대학교 일반대학원 | - |
dc.contributor.alternativeName | Seo, Hyun-Seok | - |
dc.contributor.department | 일반대학원 전자공학과 | - |
dc.date.awarded | 2007. 2 | - |
dc.description.degree | Master | - |
dc.identifier.localId | 565747 | - |
dc.identifier.url | http://dcoll.ajou.ac.kr:9080/dcollection/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000002235 | - |
dc.subject.keyword | 항복전압 | - |
dc.subject.keyword | 곡률반경 | - |
dc.subject.keyword | PN접합 | - |
dc.description.alternativeAbstract | A new equation of the breakdown voltage was derived in range of no match between a that of the numerical solution and Baliga's analytical equation on the cylindrical junction, In PN junction diodes , we derived an equation between the breakdown voltage and doping concentration, considering a lateral curvature of windows corner,Rm. In range of γ>0.3, the cylindrical breakdown voltage was shown as a polynomial equation, (). This equation matched the numerical breakdown voltage well. Using the equation between the breakdown voltage and doping concentration, when we designed devices with breakdown voltages, 300V and 500V, optimum doping concentrations of epitaxial layer are 10 and , and Curvatures are 265㎛ and 362㎛, then minimum resistances of devices are 67Ω and 5.7kΩ. And in the range of no change of the breakdown voltage on the Rm, when we use Rm and doping concentration of epitaxial layer and fabricate devices, resistances of these aren't different from the minimum resistance nearly. | - |
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