850 nm VCSEL의 모드특성과 변조특성 사이의 상관 관계

DC Field Value Language
dc.description학위논문(석사)--아주대학교 대학원 :전자공학과,2005-
dc.description.abstract850nm 수직 공진 레이저 (VCSELs : Vertical Cavity Surface Emitting Lasers)의 모드 특성과 변조특성사이의 상관관계에 대하여 살펴보았다. 첫번째로, 각각의 횡방향 다중모드가 공간적으로 독립적인 레이저로 동작하는 implant VCSEL의 변조특성을 살펴보았다. 새로운 모드가 발진하면서 turn-on delay, 상승시간, 하강시간의 증가가 일어나는 것을 관찰하였으며 이러한 현상이 패턴 응답에서 모드에 의한 패턴 현상이 일어나는 것을 보았다. 각 모드사이에 공간적으로 겹치는 부분이 없거나 매우 적기 때문에 모드 사이의 경쟁이 발생하지 않는 것도 보았다. 두번째로 여러 모드가 동시에 발진하는 oxide VCSEL의 변조 특성을 살펴보았다. 각각의 모드가 공간적으로 겹치는 부분이 많아 모드 사이의 경쟁이 심하게 나타내지만, 새로운 모드가 발진할 때 일어나는 turn-on delay, 상승시간의 증가가 매우 적은 것을 확인할 수 있었다.-
dc.description.tableofcontents목차 제 1 장 서론 = 1 제 2 장 Implant VCSEL의 동특성 = 3 제 1 절 다중 모드 특성과 변조 특성 = 3 제 2 절 Implant VCSEL의 Pulse 응답과 상승시간의 증가 = 7 제 3 절 Implant VCSEL의 Pattern Effect에 의한 파형 왜곡 = 13 제 4 절 요약 = 18 제 3 장 Oxide VCSEL의 동특성 = 19 제 1 절 Oxide VCSEL의 모드특성 = 19 제 2 절 Oxide VCSEL의 펄스 응답 = 24 제 3 절 요약 = 28 제 4 장 결론 = 30 참고 문헌 = 31-
dc.publisherThe Graduate School, Ajou University-
dc.rights아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.-
dc.title850 nm VCSEL의 모드특성과 변조특성 사이의 상관 관계-
dc.title.alternativeRelationship between Modal and Modulation Charicteristics of 850 nm VCSELs-
dc.contributor.affiliation아주대학교 일반대학원-
dc.contributor.alternativeNameSong, Hwa-Yoon-
dc.contributor.department일반대학원 전자공학과-
dc.date.awarded2005. 2-
dc.description.alternativeAbstractWe have studied the relationship between modal and modulation characteristics of 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers. First, we observed the characteristics of implant VCSELs that have multiple mode behaviors as spatially independent lasers. The turn-on delay and increase of rising and falling time have been disclosed. These phenomena have shown pattern-effected responses. We showed that mode competition was not occurred. Second, we observed the characteristics of oxide VCSELs that have nearly simultaneous lasing of different modes. The oxide VCSELs have shown mode competition because there are much overlap between each mode meanwhile the turn-on delay and increase of rising and falling time are smaller than implant VCSELs-
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