고 유전물질을 절연체 박막으로 적용한 금속-강유전체-절연체-금속 구조의 강유전체 터널링 접합 특성 분석
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 김상완 | - |
dc.contributor.author | 최문정 | - |
dc.date.accessioned | 2022-11-29T03:01:21Z | - |
dc.date.available | 2022-11-29T03:01:21Z | - |
dc.date.issued | 2022-02 | - |
dc.identifier.other | 31803 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.ajou.ac.kr/handle/2018.oak/21055 | - |
dc.description | 학위논문(석사)--아주대학교 일반대학원 :전자공학과,2022. 2 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 향상된 tunneling electro-resistance (TER) ratio를 구현하기 위해 high-k 물질을 절연체 박막으로 적용한 금속-강유전체-절연막-금속(metal-ferroelectric-insulator-metal: MFIM) 구조의 ferroelectric tunnel junction (FTJ) 소자를 제작 후 측정 및 분석하였다. High-k 물질로는 HfO2와 ZrO2를, 강유전체 박막으로는 Hf과 Zr이 약 1:1 비율로 구성된 Hf0.5Zr0.5O2 산화막을 활용했다. 그 결과, erase 전류는 절연막의 종류와 상관없이 일정한 반면, write 전류는 절연막의 유전율에 비례하는 경향을 보였다. 그 이유로는 물질별로 절연막과 Hf0.5Zr0.5O2가 이루는 band offset이 상이하고 유전율의 차이가 잔류 분극 (remnant polarization: Pr)에 영향을 미치기 때문이다. 결과적으로, FTJ의 on/off 성능을 나타내는 TER ratio가 대조군인 Al2O3 대비, ZrO2일 때 3.9배 그리고 HfO2의 경우 2.2배 향상된 성능을 보였다. | - |
dc.description.tableofcontents | 제1장 서론 1 제2장 강유전체 산화막 6 제1절 강유전체 특성 6 제2절 하프늄-지르코늄 산화막 9 제3절 다양한 메모리 application 12 제3장 소자 제작 방법 및 설계 18 제1절 Atomic Layer Deposition (ALD) 18 제2절 소자 제작 과정 23 제4장 측정 결과 및 분석 26 제1절 MFM 특성분석 및 측정 결과 26 제2절 MFIM 특성분석 및 측정 결과 36 제3절 절연체 물질에 따른 FTJ 특성 분석 45 제5장 결론 54 참고문헌 55 List of publications 61 Abstract 62 | - |
dc.language.iso | kor | - |
dc.publisher | The Graduate School, Ajou University | - |
dc.rights | 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다. | - |
dc.title | 고 유전물질을 절연체 박막으로 적용한 금속-강유전체-절연체-금속 구조의 강유전체 터널링 접합 특성 분석 | - |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.affiliation | 아주대학교 일반대학원 | - |
dc.contributor.department | 일반대학원 전자공학과 | - |
dc.date.awarded | 2022. 2 | - |
dc.description.degree | Master | - |
dc.identifier.localId | 1245136 | - |
dc.identifier.uci | I804:41038-000000031803 | - |
dc.identifier.url | https://dcoll.ajou.ac.kr/dcollection/common/orgView/000000031803 | - |
dc.subject.keyword | HfO2-based ferroelectric film | - |
dc.subject.keyword | ferroelectric tunnel junction | - |
dc.subject.keyword | high-k material | - |
dc.subject.keyword | low power operation | - |
dc.subject.keyword | tunneling electro-resistance | - |
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