CVD로 증착된 SiO2층 및 Si3N4층을 가지는 AAO 나노채널 배열을 이용한 역전기 투석식 발전에 대한 연구
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 김동권, 유재석, 윤백 | - |
dc.contributor.author | 이상우 | - |
dc.date.accessioned | 2019-10-21T07:23:56Z | - |
dc.date.available | 2019-10-21T07:23:56Z | - |
dc.date.issued | 2015-02 | - |
dc.identifier.other | 18880 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.ajou.ac.kr/handle/2018.oak/18552 | - |
dc.description | 학위논문(석사)--아주대학교 일반대학원 :기계공학과,2015. 2 | - |
dc.description.tableofcontents | 1. 서론 1 1.1연구배경 1 1.2 연구동향 4 1.3 역전기 투석(Reverse Electrodialysis)의 개념 5 1.4 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition) 7 1.5 연구 목표 8 2. 본론 10 2.1 Mesh형태의 Ag/AgCl 전극 제작 10 2.2 실험 장치 구성 11 2.3 이온교환물질의 표면 및 단면 SEM사진 14 2.3.1 AAO 모습 14 2.3.2 AAO에 SiO2가 증착된 모습 16 2.3.3 AAO에 Si3N4가 증착된 모습 18 2.4 실험 방법 20 2.4.1 O.C.V. 및 저항 측정 방법 20 2.4.2 증착두께에 따른 성능 분석 21 2.4.3 최적 증착두께의 이온교환막에 대한 성능분석 23 2.5 AAO SiO2 막성능 검증 24 2.5.1 SiO2 증착두께별 OCV 및 저항 측정 24 2.5.2 다양한 농조조합에서 SiO2 1μm의 성능분석 28 2.6 AAO Si3N4 막성능 검증 38 2.6.1 Si3N4 증착두께별 OCV 및 저항 측정 38 2.6.2 다양한 농조조합에서 Si3N4 1μm의 성능분석 42 3. 결론 49 참고문헌 50 ABSTRACT 54 | - |
dc.language.iso | kor | - |
dc.publisher | The Graduate School, Ajou University | - |
dc.rights | 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다. | - |
dc.title | CVD로 증착된 SiO2층 및 Si3N4층을 가지는 AAO 나노채널 배열을 이용한 역전기 투석식 발전에 대한 연구 | - |
dc.title.alternative | Lee sang woo | - |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.affiliation | 아주대학교 일반대학원 | - |
dc.contributor.alternativeName | Lee sang woo | - |
dc.contributor.department | 일반대학원 기계공학과 | - |
dc.date.awarded | 2015. 2 | - |
dc.description.degree | Master | - |
dc.identifier.localId | 695397 | - |
dc.identifier.url | http://dcoll.ajou.ac.kr:9080/dcollection/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000018880 | - |
dc.subject.keyword | RED | - |
dc.subject.keyword | 역전기투석 | - |
dc.subject.keyword | 나노채널 | - |
dc.subject.keyword | AAO | - |
dc.description.alternativeAbstract | It have been conducted that studies of reverse electrodialysis to convert into electric energy by using a polymer ion-exchange membrane from Gibbs energy dissipated when the seawater and fresh water are mixed. Recently, studies using solid nanochannels to improve the efficiency of the reverse electrodialysis is in progress. Especially study of porous alumina thin film is concentrated. In this study, SiO2 and Si3N4 was deposited on AAO by CVD for improving the ion-selectivity. We tried to measure the resistances and Open Circuit Voltages for various deposition thicknesses of SiO2 and Si3N4. SiO2 with 1μm and Si3N4 with 1μm thickness on AAO showed best performance, among various deposition thicknesses. The resistances and Open Circuit Voltages were measured for various concentration combinations and maximum power was calculated. Experimental results show 10-2M-1M concentration combination has the maximum power performance. | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.