이중 Gate를 갖는 Trench Emitter IGBT의 특성
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 정상구 | - |
dc.contributor.author | 강영수 | - |
dc.date.accessioned | 2018-11-14T06:13:26Z | - |
dc.date.available | 2018-11-14T06:13:26Z | - |
dc.date.issued | 2000 | - |
dc.identifier.other | 5489 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.ajou.ac.kr/handle/2018.oak/14622 | - |
dc.description | 학위논문(석사)--亞洲大學校 大學院 :電子工學科,2000 | - |
dc.description.tableofcontents | text | - |
dc.language.iso | kor | - |
dc.publisher | The Graduate School, Ajou University | - |
dc.rights | 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다. | - |
dc.title | 이중 Gate를 갖는 Trench Emitter IGBT의 특성 | - |
dc.type | Thesis | - |
dc.contributor.affiliation | 아주대학교 일반대학원 | - |
dc.contributor.department | 일반대학원 전자공학과 | - |
dc.date.awarded | 2000. 8 | - |
dc.description.degree | Master | - |
dc.identifier.localId | 560764 | - |
dc.identifier.url | http://dcoll.ajou.ac.kr:9080/dcollection/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000005489 | - |
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